
AMB 精密釬焊爐具有多方面的優(yōu)勢(shì),主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn): 1.優(yōu)良的真空環(huán)境:采用多級(jí)抽氣系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)高真空度,通常極限真空度能達(dá)到 10??Pa 左右。在這樣的高真空環(huán)境下,能消除氧、氮等活性氣體對(duì)釬料和基材的氧化污染,避免了焊接過(guò)程中金屬表面氧化膜的形成,從而獲得極其清潔、無(wú)焊劑殘留的釬焊接頭,保證了焊接質(zhì)量。同時(shí),高真空還能降低氣體分子對(duì)活性元素?cái)U(kuò)散的阻礙,加速界面反應(yīng),有助于提高釬料與陶瓷、金屬等材料的結(jié)合強(qiáng)度。

單晶生長(zhǎng)爐是一種用于生長(zhǎng)單晶體的設(shè)備,在半導(dǎo)體、光學(xué)、電子等多個(gè)領(lǐng)域有著至關(guān)重要的作用,主要包括以下幾個(gè)方面: 1.半導(dǎo)體材料制備:在半導(dǎo)體行業(yè),單晶硅是制造集成電路芯片的關(guān)鍵材料。單晶生長(zhǎng)爐通過(guò)正確控制溫度、氣氛、拉速等參數(shù),能夠生長(zhǎng)出大尺寸、高純度、低缺陷的單晶硅錠。這些單晶硅錠經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光等后續(xù)加工工序,制成硅片,為芯片制造提供基礎(chǔ)材料。高質(zhì)量的單晶硅對(duì)于提高芯片的性能、降低功耗以及提高成品率具有決定性作用。

單晶生長(zhǎng)爐具有以下特點(diǎn): 1.正確控制方面 溫度正確:能夠?qū)囟瓤刂圃诜浅U_的范圍內(nèi),比如直拉法生長(zhǎng)硅單晶時(shí),要將石英坩堝內(nèi)多晶硅原料加熱到 1450℃以上并保持穩(wěn)定。熱場(chǎng)溫度分布的正確度直接影響晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量,若溫度波動(dòng)過(guò)大,可能導(dǎo)致晶體產(chǎn)生缺陷、雜質(zhì)分布不均勻等問(wèn)題。

超高溫?zé)Y(jié)爐具有以下特點(diǎn): 1.高溫特性 超高溫度范圍:超高溫?zé)Y(jié)爐最顯著的特點(diǎn)就是能夠提供較高的溫度環(huán)境,一般可達(dá)到 1800℃以上,甚至部分優(yōu)良設(shè)備能突破 3000℃,如采用石墨發(fā)熱體結(jié)合特殊隔熱材料的燒結(jié)爐,可滿足碳化硼、氮化硼等超硬材料以及一些難熔金屬的燒結(jié)需求。